IT前沿1月2日消息最新报道 据韩媒koreaherald最新报道 ，三星电子事实上和领导者李在镕周四讨论了公司本身本身将利用好亚太地区首个3纳米工艺各种技术制造芯片的战略。

李在镕当天参观了三星项目位于京畿道华城的半导体研发服务中心 ，那是她在2020年首次正式进入采取进入现场 管理。李在镕谈直到公司本身本身的原计划  ，该原计划旨在采取已经开发中是最新3纳米全栅极(gate-all-around  ，简称GAA)工艺各种技术  ，使亚太地区客户多订购的尖端芯片商业化。

GAA被被誉 当前FinFET各种技术的不断升级版  ，该各种技术我们能够使芯片制造商将微芯片的制造工艺推动大幅全面提升。

三星今年今年年初今年年初4月已完又成基于极端紫外线各种技术的5纳米FinFET工艺各种技术的开发  ，公司本身本身已经系统研究下一代纳米工艺各种技术。三星称 ，与5纳米制程较比  ，3纳米GAA各种技术在逻辑区域效率多个方面大幅全面提升了35%超过  ，功耗大幅全面提升了50% ，性能大幅全面提升了约30%。

三星发言人说：“李在镕对半导体研发服务中心的访问  ，继续凸显了三星承诺成长为非内存三大领域 顶级芯片制造商的承诺。”

今年今年年初今年年初  ，三星正式进入的一项1118.5美金的个人投资原计划  ，既定目标是到2030年又成亚太地区第二不小 芯片管理系统制造商。